以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料已引發(fā)全球矚目，成為全球半導(dǎo)體研究前沿和熱點。第三代半導(dǎo)體具備禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強等優(yōu)越性能，是固態(tài)光源、下一代射頻和電力電子器件的“核芯”，在半導(dǎo)體照明、消費類電子、5G移動通信、智能電網(wǎng)、軌道交通、雷達探測等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。預(yù)計到2020年，第三代半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用將在節(jié)能減排、信息技術(shù)、國防三大領(lǐng)域催生上萬億元的潛在市場。
2016年11月15日至17日，第十三屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA2016）將在北京國際會議中心召開，并將與由中國科技部與北京市人民政府主辦的2016中國(北京)跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會暨第三代半導(dǎo)體國際論壇（以下簡稱“跨國技術(shù)轉(zhuǎn)移大會”）同期同地舉行。
其中，大會舉辦期間將從技術(shù)、產(chǎn)業(yè)、應(yīng)用等全鏈條策劃，通過高峰論壇、專題研討、應(yīng)用峰會、合作論壇和創(chuàng)新大賽等多種形式，圍繞第三代半導(dǎo)體的前沿發(fā)展和技術(shù)應(yīng)用設(shè)置多個專場重點討論。其中圍繞氮化鎵及其它新型寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件技術(shù)設(shè)置了專題分會。
此次分會采用召集人+主席+分會團的模式，山東大學(xué)校長、教授張榮與北京大學(xué)物理學(xué)院教授，北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)合研究中心主任、中國物理學(xué)會發(fā)光分會理事張國義領(lǐng)銜擔任召集人，匯聚全球頂級專家精英，打造一場氮化鎵等第三代半導(dǎo)體電力電子器件的盛會。
弗吉尼亞理工大學(xué)教授、美國工程院院士Fred Lee將擔任分會外方主席，Fred Lee主要研究領(lǐng)域包括高頻功率轉(zhuǎn)換，磁學(xué)和電磁干擾，分布式電源系統(tǒng)，可再生能源，電能質(zhì)量，高密度電子封裝和集成，以及建模與控制。
此次分會還匯集行業(yè)內(nèi)強有力的分會團，為分會提供不同角度的高階支持。分會成員沈波，北京大學(xué)物理學(xué)院副院長，北京大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體聯(lián)合研究中心副主任、教授，1995年開始從事III族氮化物寬禁帶半導(dǎo)體物理、材料和器件研究，1997年以來主要從事GaN基異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料生長、二維電子氣物性研究和高溫功率器件研制，揭示了強極化、高能帶階躍體系中二維電子氣輸運規(guī)律，在氮化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)生長和電子器件研制上取得重要進展。先后主持了國家“973”計劃項目、國家“863”計劃項目、國家自然科學(xué)基金等20多項科研項目。
分會成員張進成，西安電子科技大學(xué)教授，主要研究方向為寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件。先后承擔和作為主要負責人參加了省部級以上科研項目20余項。其中，作為負責人主持國家級項目2項、省部級項目4項。作為主要負責人之一，成功研制出我國具有自主產(chǎn)權(quán)的低缺陷氮化物材料生長的表面反應(yīng)增強MOCVD和高鋁組份GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)微波材料，性能指標達到了國際先進水平。
分會成員李順峰，北京大學(xué)東莞光電研究院副院長，曾先后在德國卡爾斯魯厄大學(xué)以及布倫瑞克工業(yè)大學(xué)從事III族氮化物及III-V化合物半導(dǎo)體材料、結(jié)構(gòu)和器件的生長以及工藝的研究和開發(fā)。參與和領(lǐng)導(dǎo)了歐盟第七框架項目、德國教育科研部以及德國研究基金等多個項目的研究。2012年10月回國擔任北京大學(xué)東莞光電研究院副院長，負責研究院的科研工作及建設(shè)。同時，領(lǐng)導(dǎo)III族氮化物微結(jié)構(gòu)器件以及高性能封裝材料的研究。
分會成員陳敬，香港科技大學(xué)教授，曾在日本NTT LSI實驗室和美國安捷倫科技從事III-V高速器件技術(shù)研發(fā)工作，自2000年起在香港科技大學(xué)任教，他所帶領(lǐng)的團隊目前的研究重點在于開發(fā)電力電子、無線電/微波及耐高溫電子應(yīng)用等方面的GaN器件技術(shù)。他同時是IEEE會士，現(xiàn)為IEEE電子器件學(xué)會復(fù)合半導(dǎo)體器件與IC技術(shù)委員會成員。
分會成員張韻，中科院半導(dǎo)體研究所所長助理、研究員、博導(dǎo)。曾在美國高平（Kopin）半導(dǎo)體公司III-V部門從事研發(fā)工作，具備多年GaN、GaAs基器件的設(shè)計、制造工藝及器件物理分析經(jīng)驗。2006年至2010年，參與完成與美國國防部先進研究項目局（DARPA）在深紫外光電探測器領(lǐng)域的項目“Deep Ultraviolet Avalanche Photodetectors(DUVAP)”， 及DARPA部署在可見光波段激光器領(lǐng)域的項目“Visible In GaN Injection Lasers(VIGIL)”。在光電子器件領(lǐng)域取得了豐碩成果的同時，在GaN基大功率電子器件方面也有豐富的經(jīng)驗和世界領(lǐng)先的成果。
分會成員張國旗，代爾夫特理工大學(xué)教授、DIMES“固體照明系統(tǒng)集成及可靠性中心”主任、歐洲微/納米可靠性中心(EUCEMAN)副主任、荷蘭國家微/納米電子、嵌入系統(tǒng)和高科技系統(tǒng)戰(zhàn)略創(chuàng)新規(guī)劃(PointOne)學(xué)術(shù)委員會共同主席、飛利浦公司半導(dǎo)體照明院士及半導(dǎo)體照明開放創(chuàng)新規(guī)劃高級總監(jiān)、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟國際專家咨詢小組成員。
陣容強大，精彩報告也是必備。分會外方主席、弗吉尼亞理工大學(xué)教授、美國工程院院士Fred Lee，分會成員、香港科技大學(xué)教授陳敬，名古屋工大教授江川孝志，晶湛半導(dǎo)體、國家千人計劃專家程凱，中科院蘇州納米所研究員、中組部首批國家“青年千人計劃”、國家技術(shù)發(fā)明一等獎獲得者孫錢，中山大學(xué)教授劉揚，臺灣交通大學(xué)教授、副校長兼國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)學(xué)院院長張翼等國內(nèi)外專家聯(lián)袂帶來精彩特邀報告，分享最新研究成果。
其中，名古屋工大教授江川孝志當前的主要研究領(lǐng)域是氮化鎵和砷化鎵異質(zhì)外延金屬及其對電子和光學(xué)器件的應(yīng)用。他至今已在眾多國際期刊上發(fā)表或共同發(fā)表了超過260篇著作。他也是日本應(yīng)用物理學(xué)會、日本電器學(xué)會及IEEE會士。他于1991年獲得了日本電器學(xué)會電氣學(xué)會振興獎和小平紀念獎；1996年被日本激光協(xié)會授予鐳射研究業(yè)績獎；2010年他被文部科學(xué)省的日本結(jié)晶成長學(xué)會授予第17回技術(shù)獎；2013年獲得井上春成獎。
中科院蘇州納米所研究員、中組部首批國家“青年千人計劃”、國家技術(shù)發(fā)明一等獎獲得者孫錢，2011年入選中組部首批國家“青年千人計劃”，十余年以來一直致力于寬禁帶半導(dǎo)體GaN基材料生長及新型高效LED、激光器、GaN基功率電子器件等的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，并取得了驕人的成績，比如其在美國硅谷的普瑞光電公司工作期間，在8英寸硅襯底上實現(xiàn)了160流明/瓦的高光效GaN基LED。回國后與晶能光電有限公司進行產(chǎn)學(xué)研實質(zhì)性合作，兼任公司硅襯底GaN基LED研發(fā)副總裁，帶領(lǐng)團隊成功研發(fā)出新一代硅襯底GaN基高效LED的外延及芯片工藝技術(shù)，并在全球率先成功產(chǎn)業(yè)化。2015年實現(xiàn)了國際上第一支硅襯底GaN基藍紫光激光器（氮化物半導(dǎo)體的另一種重要光電器件）的電注入室溫連續(xù)激射，有望大幅降低GaN基激光器的制造成本，而且還為硅基光電集成提供了一種新的技術(shù)路線。在Si襯底氮化物電力電子方面，孫錢的課題組研發(fā)的硅基氮化物外延材料的擊穿電壓已突破1500V，并且通過P型柵實現(xiàn)了增強型電力電子器件。
第三代半導(dǎo)體材料廣闊的應(yīng)用前景及龐大的潛在市場，決定了其受火熱程度，想把握大勢，那一定要來看看，11月15日，我們北京見！
參會報名、參會聯(lián)系人
張小姐 M：13681329411 T：010-82387380 E：zhangww@china-led.net
賈先生 M：18310277858 T：010-82387430 E：jiaxl@china-led.net
許先生 M：13466648667 T：010-82381680 E：xujh@china-led.net
掃碼支付更輕松
